应用抗精神药物治疗只能改善患者的部分症状,但是对患者认知功能和阴性症状疗效较差。重复经颅磁刺激作为作为一种无创、安全的颅外刺激大脑技术,近年来被广泛应用于临床治疗,在抑郁症、焦虑、强迫症、失眠等精神疾病治疗方面取得了显著的疗效!
经国内外众多研究表明,左侧前额叶背外侧皮质区(DLPFC)功能障碍与精神分裂症的认知功能缺损和阴性症状存在较大关系,应用重复经颅磁刺激(rTMS)该区域可以缓解患者的临床症状!除了传统高频10Hz刺激方式的基础上,不少新型rTMS模式被应用于临床研究中,如θ短阵快速脉冲刺激(TBS)等。针对同一刺激部位,哪种治疗模式最好,成为临床探索的方向和目标!
一项最新的“不同重复经颅磁刺激模式对精神分裂症认知功能及精神症状的影响”的研究,为rTMS治疗精神分裂患者的个体化治疗提供了新的思路和方法。
方法
选取80例精神分裂症患者,并随机分配至4个rTMS干预组。4种rTMS干预模式分别是伪刺激组、θ短阵快速脉冲刺激(TBS)组、10Hz组和20Hz组。患者入院后均给予奥氮平治疗,用量10mg/次,1次/d。刺激部位均为左侧前额叶背外侧皮质区。以80%的运动阈值为刺激强度,每次总刺激脉冲数为。
左侧前额叶背外侧皮质区治疗示意图
伪刺激组:将线圈翻转将其背面朝向患者的头部,应用10Hz刺激频率,将总数刺激分30串,每个刺激串间隔15S。
TBS组:其基本序列模式为5Hz,每ms给予1个短阵刺激,每个刺激中有3个50Hz的单脉冲,每10个刺激间隔8S,总共个刺激。
10Hz组:给予刺激方法和脉冲均与伪刺激组相同。
20Hz组:应用刺激频率为20Hz,将总数个刺激分为30串,每串40个脉冲,串与串间隔28S,时间约15min。
四组均每天治疗1次,治疗2个月。
结果
(VFT)词汇流畅性测试和(VSWM)视空间工作记忆
治疗前后患者认知功能和精神症状比较:治疗后四组VFT、VSWM均较各自治疗前升高(P0.05),TBS组PANSS阴性症状分较治疗前降低(P0.05),10Hz组和20Hz组PANSS一般病理症状分较治疗前降低(P0.05)。治疗后TBS组VFT高于其他三组,PANSS阴性症状分低于其他三组(P0.05);10Hz组PANSS一般病理分低于其他三组(P0.05);20Hz组VSWM高于其他三组,PANSS一般病理分低于其他三组(P0.05)。
结论
20Hz刺激能改善患者VSWM,TBS刺激能改善患者VFT,TBS刺激和10Hz刺激能改善阴性症状,10Hz和20Hz刺激能改善患者的一般精神症状,与其他研究结果具有一致性,说明不同重复经颅磁刺激对患者认知功能和精神症状改善情况不同,进一步说明精神分裂症患者应根据情况不同选择不同治疗方案,选择不同重复经颅磁刺激。
相对于常规rTMS模式,TBS干预模式更符合神经元的放电模式。本研究显示,TBS刺激模式能改善精神分裂症患者的VFT,改善患者的认知功能障碍。本研究还选择20Hz刺激模式来刺激左侧前额叶背外侧皮质区,电生理实验显示,20Hz刺激能够使r共振活动增加,而r共振是与认知活动相关的主要生理机制。有关研究也证实,20Hz刺激模式可以增加健康人的定向注意力,本研究发现,20Hz不仅仅可以改善患者的一般精神症状,还可以改善患者的VSWM,充分证实20Hz刺激模式对精神分裂症患者认知功能具有一定改善。
综上所述,精神分裂症对患者危害较大,不同重复经颅磁刺激模式对患者认知功能和精神症状改善不同,应该根据患者的情况选择不同的刺激干预模式,进而提高治疗效果。
关于TBS的详细介绍,可以点击下方链接:
何谓经颅磁刺激的TBS模式?